政策依據：《關于促進長沙高新區(qū)功率半導體及集成電路發(fā)展的若干政策》。小編現(xiàn)將本政策的支持方向和申報條件、程序總結如下，希望對你的申報工作有所幫助。
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（臥濤科技：高新技術企業(yè)、科技成果評價、知識產權代理（軟著、專利、版權、商標）、軟件開發(fā)、商業(yè)計劃書、工商注冊、財稅規(guī)劃、可行性研究報告、體系認證、股權設計等）
本政策自發(fā)布之日起施行，有效期3 年。
一、支持招大引強。
1.對實際到位資金額達到1 億元（含）以上的國內外功率半導體及集成電路企業(yè)落戶長沙高新區(qū)，按其實收資本的 2.5%給予一次性獎勵，單個企業(yè)最高1000萬元，獎勵金額按照企業(yè)首次達到上述標準時的實收資本進行核定，按 4∶3∶3 比例分 3 年兌現(xiàn)。
2.功率半導體及集成電路領域的獨角獸企業(yè)、領軍企業(yè)、國家重大項目承擔機構等在長沙高新區(qū)設立總部或者建設重大項目的，按照“一事一議”政策給予支持。
3.國內外知名院校和研究機構來區(qū)設立創(chuàng)新中心或研究院的，可給予“一事一議”政策支持。

二、鼓勵平臺招商。
1.每年根據平臺招商和產業(yè)發(fā)展情況，給予一定資金獎勵，每年招商簽約落地園區(qū)的項目達10家（設計類企業(yè)研發(fā)設計人員不低于 20 人，購地類項目實際固定資產投資不低于 5000 萬元），則給予100 萬元獎勵，每超過1家增加 10 萬元，每個平臺當年度最高補助不超過250 萬元。

三、支持企業(yè)通過并購重組方式落戶到長沙高新區(qū)。
1.園區(qū)內企業(yè)通過借殼等方式將國內外上市公司主體實際經營地址和工商、稅務登記關系轉移至長沙高新區(qū)內的，一次性給予300萬元獎勵。
2.園區(qū)內企業(yè)（即并購方）并購重組（與非關聯(lián)方并購重組）境內企業(yè)（即被并購方）且并購交易額達到2000萬元（含）以上的，按照并購交易額的4‰給予補助，單個并購項目當年度最高補貼 50 萬元；
3.并購重組（與非關聯(lián)方并購重組）境外企業(yè)（即被并購方）且并購交易額在2000 萬元（含）以上的，按照并購交易額的 5‰給予補助，單個并購項目當年度最高補貼50 萬元。

四、支持企業(yè)租房和購房。
1.對2022 年1 月1 日后注冊的、新租賃入駐高新區(qū)的功率半導體及集成電路企業(yè)，自注冊之日起，對租賃面積100平方米以上且不超過1000 平方米的企業(yè)（按不超過人均 10 平方米標準補貼），可以連續(xù)3 年享受房租補貼（只限房屋租金），每平米補貼不超過35 元/月。
2.在高新區(qū)注冊的功率半導體及集成電路企業(yè)，根據企業(yè)實際納稅情況，對稅收達 500 萬元以上的初次購房企業(yè)，第1 年給予高新區(qū)財政當年實得部分 80%產業(yè)資金支持；第2 年及第3 年，均以上年實繳稅收為基數(shù)，對新增稅收200 萬元以上企業(yè)，給予高新區(qū)財政實得（含基數(shù)內）80%產業(yè)資金支持，總支持額度不超過企業(yè)購房投資的 80%。

五、支持關鍵領域企業(yè)規(guī)?；l(fā)展。
1.對年度營收首次突破 5000 萬元、1 億元、5 億元的功率半導體及集成電路設計服務類企業(yè)，分別給予企業(yè)50 萬元、100萬元、200 萬元的一次性獎勵，晉級補差。
2.對年度營收首次突破 1000 萬元、5000 萬元、1 億元、10億元及 50 億元的網絡安全企業(yè)，分別給予企業(yè)10 萬元、50萬元、100 萬元、500 萬元及 1000 萬元的一次性獎勵，晉級補差。

六、支持企業(yè)流片和購買IP。
1.對企業(yè)的晶圓（MPW）試流片、全掩膜（FULL MASK）工程產品首次流片、購買IP核費用，分別給予實際交易額 30%、25%、25%的補助，同一企業(yè)年度補助最高不超過 250 萬元。

七、鼓勵企業(yè)資質備案。
1.對列入“國家鼓勵的重點集成電路設計企業(yè)”、“國家鼓勵的線寬小于130 納米（含）的集成電路生產企業(yè)或項目”清單的企業(yè)，給予50 萬元的一次性獎勵。
2.對產品通過汽車車規(guī)級芯片認證的企業(yè)，給予100萬元的一次性獎勵。

八、支持重大技術裝備首臺（套）突破。
1.對當年新獲批省級首臺（套）重大技術裝備，且已實現(xiàn)銷售的，按照獲批省級資金的50%給予獎勵，單個企業(yè)獎勵資金最高不超過100萬元。

九、支持創(chuàng)建制造業(yè)創(chuàng)新中心和先進產業(yè)技術研發(fā)平臺。
1.對當年新獲批國家級、省級制造業(yè)創(chuàng)新中心，分別給予2000萬元、200 萬元獎勵，晉級補差。
2.鼓勵產業(yè)龍頭骨干企業(yè)和技術優(yōu)勢單位強強聯(lián)合，以股份制方式新組建先進產業(yè)技術研發(fā)平臺，連續(xù) 3 年每年給予 100 萬元經費補貼。

十、支持功率半導體及集成電路領域高端人才（團隊）來區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。
1.經認定后以股權投資和資金補助結合的方式可給予每個高端人才（團隊）項目最高500 萬元資金支持，企業(yè)獲利后，根據高新區(qū)財政實得部分，給予連續(xù)3 年100%的支持，同一企業(yè)年度補助最高不超過 500 萬元。

十一、加大高層次人才獎補支持。
1.經認定的功率半導體及集成電路企業(yè)高級管理、技術人才，年度工資薪金收入個人所得稅實繳 1 萬元/年以上的（含），按上一自然年度個人所得稅實繳金額高新區(qū)財政實得部分的100%予以支持。

十二、加大產業(yè)博士和碩士引才支持。
1.新引進在長沙高新區(qū)企業(yè)全職工作的全日制博士，給予40萬元-60萬元生活補貼，在麓谷園區(qū)購房可給予 10 萬元購房補貼。
2.新引進在長沙高新區(qū)創(chuàng)辦企業(yè)的博士，經評審可給予30 萬元-100 萬元創(chuàng)業(yè)扶持資金。
3.歸集一批辦公場地作為博士創(chuàng)業(yè)孵化基地，為博士初創(chuàng)企業(yè)提供三年免費場所和相關服務；對于特別優(yōu)質創(chuàng)業(yè)項目和創(chuàng)業(yè)團隊，采取“一事一議”的方式，最高給予1 億元創(chuàng)業(yè)扶持資金。
4.新引進在長沙高新區(qū)企業(yè)全職工作的碩士，在麓谷園區(qū)內購房可給予 3 萬元-5 萬元購房補貼。

十三、支持培訓基地建設。
1.對于獲批為市先進計算領域學生實訓（實習）基地的單位，一次性給予實訓基地單位30萬元獎勵。

十四、定期組織開展產業(yè)鏈上中下游核心企業(yè)市場對接和技術交流活動。
1.支持符合條件的功率半導體及集成電路產品納入長沙市兩型產品目錄。
2.對企業(yè)采購園區(qū)非關聯(lián)企業(yè)生產的材料、芯片、關鍵零部件和設備，以及集成電路設計產品和服務、封裝測試服務，按照實際采購金額的5%給予補貼，單個企業(yè)年度補助最高不超過 250 萬元。采購后產品必須用于企業(yè)的生產經營，用于貿易及物流等環(huán)節(jié)的不予支持。

十五、支持示范應用推廣。
1.支持國產芯片在5G、新能源汽車、智能終端、智能網聯(lián)、北斗等多個領域的融合應用。
2.對于入選市示范應用項目的，給予示范應用項目技術、產品及服務提供商實際研發(fā)投入 15%的獎勵，單個企業(yè)年度補助最高不超過 100 萬元。
3.鼓勵北斗系統(tǒng)、設備及產品的市場開拓。對經認定的園區(qū)企業(yè)新研制的北斗系統(tǒng)、設備及產品的首筆訂單，按銷售收入的 6%進行獎勵，單個產品最高不超過60 萬元。
4.對經認定的園區(qū)企業(yè)生產的北斗系統(tǒng)、設備及產品，按年度銷售額度的 3%給予補貼，單個企業(yè)每年最高不超過150 萬元。

十六、支持建設公共技術服務平臺。
1.支持企業(yè)、高校和科研院所建設公共 EDA（電子設計自動化）技術服務、IP復用與 SoC（系統(tǒng)級芯片）開發(fā)、MPW（多項目晶圓）服務、集成電路設計工具租賃、檢測及認證等公共技術服務平臺。
2.經認定后，對當年新建的公共技術服務平臺，實際投入達2000 萬元以上的，按照實際投資金額的 10%給予補貼，同一平臺補貼金額最高不超過 500 萬元；
3.對經認定后運營 2 年以上的集成電路公共服務平臺，按照服務合同實際完成額的 10%給予補貼，同一平臺每年補貼金額最高不超過 200 萬元。
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